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2015 年度 研究成果報告書

Electrodeposition of copper on silicon studied with in-situ X-ray scattering

研究課題

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研究課題/領域番号 25820373
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 材料加工・組織制御工学
研究機関東京学芸大学

研究代表者

Voegeli Wolfgang  東京学芸大学, 教育学部, 助教 (90624924)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワードX線反射率 / シリコン / 薄膜成長
研究成果の概要

本研究では、薄膜の電気化学成長等における構造変化を時分割X線反射率法でその場観察できる手法を確立し、シリコン上の薄膜成長等に応用した。実験に、秒程度で反射率曲線全体の測定できる波長角度同時分散型のX線反射率法を用いた。
シリコン上の銅薄膜の電析、シリコンの陽極酸化による酸化シリコン薄膜の成長、イオン液体電解液と電極の界面(電気二重層)の構造形成、を研究対象とした。シリコンの陽極酸化に関して、成長中の構造緩和が構造形成の理解において重要であると分かった。また、イオン液体の電気二重層が電位変化に応答するときに、電流を伴わないゆっくりとした構造緩和が起こることを証明した。

自由記述の分野

表面界面科学

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公開日: 2017-05-10  

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