ポリスチレンナノ粒子(PSNP)および表面修飾されたPSNPの電子状態を多角入射減衰全反射遠紫外分光法(VIA-ATR-FUV )によって測定した。VIA-ATR-FUVは、固体試料の遠紫外スペクトルを測定し、表面からの深さの変化を研究することができる。PSNPを規則正しく配置し凹凸ある面での測定精度向上を目指して研究を行い、波長より大きいPSNPではエバネッセント波の散乱の影響を受けること、一方で、より小さなナノ粒子のスペクトルはPS均一膜と同様のスペクトルが観測された。電磁波計算との比較により、表面100nm以内に焦点を当てた電子状態分析の可能性を見出した。
|