|
GOI層の貼り合せ界面特性を改善するためGOI層を再貼り合せする方法を提案・実証し、ディジタルエッチング法により、2nmのGOI膜厚のGOI MOSFETの動作に成功した。移動度のGOI厚依存性の実験結果から、薄膜GOIでの移動度劣化は、膜厚揺らぎ散乱に起因することを明確化した。酸化濃縮法にアニール工程を挿入し、かつGOI形成まで室温に戻さない連続加熱工程とGOI形成後の降温時間を十分長くとることにより、高い圧縮ひずみを有するGOI層の形成に成功した。更にディジタルエッチング法により4.5 nmの膜厚のひずみGOI MOSFETの動作と高移動度特性を成功した。
|
