パワー半導体型低圧直流遮断器の仕様適正化と遮断性能向上に関する研究

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26420229
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電力工学・電力変換・電気機器
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 横水 康伸 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (50230652)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: 大電流 / 直流 / 遮断器 / 限流遮断 / パワー半導体

研究成果の概要

IGBT(Insulated Gate Bipolar Diode) を用いた低圧用直流遮断器を提案・試作した。この遮断器では，ゲート・エミッタ間電圧をある時定数で低下させることによって，直流電流を限流遮断している。本研究では，時定数を10, 5および1 msに設定し，電流遮断実験を行い，電流遮断性能を包括的に解明した。時定数を5msに設定することによって，直流電流遮断性能を向上でき，また遮断時に発生する過電圧を抑制できる。さらに，SiC系パワー半導体を用いた直流遮断器を試作し，その特性を評価した。

自由記述の分野

電気工学