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グラフェンは様々な応用が期待されている物質であるが、製膜温度が1000°Cを超える・触媒が必要である等、その作製方法が確立されていない。本研究では、製膜中に敢えて酸素を導して、余剰炭素が除去された高品質な炭素系薄膜を生成することを試みた。しかし、酸素では酸化作用が強く成膜速度が極端に落ちることが分かった。そこで、二酸化炭素雰囲気での成膜を試みたところ、グラフェン膜の絶縁基板上への直接成膜が可能になった。この手法は触媒を必要としないため、従来のように金属触媒からのグラフェン膜の転写が不要となる。本手法では一般的には安定と思われる二酸化炭素が成膜中の真空では酸化剤として作用している。
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