|
本研究では、シリコン集積回路（Si-LSI）の高性能化（高速・低消費電力化）を目指し、絶縁体上にゲルマニウム・ナノワイヤ（Ge-NW）を、Si-LSIの損傷温度（約500℃）以下で直接合成する技術を提案する。具体的には、絶縁体上に（111）面配向したGe膜を形成する「Al誘起成長法」と、単結晶基板上にGe-NWを合成する「Vapor-Liquid-Solid法」を重畳することを検討した。その結果、SiO2基板上、さらにはプラスチック基板上においても配向Ge-NWを合成することに成功した。絶縁体上において、均一な半導体ナノワイヤを直接合成した初めての成果である。
|
