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本研究において，イオン液体によって促進される加工によって，分子層１層の垂直分解能，数ナノメートルの水平分解能をもつ有機半導体平坦界面の任意形状加工を実現した。さらに特筆すべき成果として，イオン液体を用いた電気二重層電界効果トランジスタにおいて，ホールが注入される電位印加状態において，構造欠陥を起点としてイオン液体中へルブレンの溶出が促進されることにより構造欠陥が除かれ，キャリア輸送に理想的な界面が自動的に生成する現象を発見し，この過程で界面キャリア移動度が自然に上昇していくという新しい概念となり得る機構を提唱した。
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