2016 年度研究成果報告書

極薄シリコン／シリコン酸化膜二次元量子構造への電子トンネル注入発光デバイスの研究

研究課題

研究課題/領域番号	26630130
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪大学
研究代表者	森田瑞穂大阪大学, 工学研究科, 教授 (50157905)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード	シリコン / シリコン酸化膜 / 発光デバイス / 量子井戸 / トンネル効果
研究成果の概要	インジウムスズ酸化物／極薄シリコン酸化膜／極薄シリコン層／埋込シリコン酸化膜デバイスから、シリコン層厚さが薄くなるとエネルギーが高くなるエレクトロルミネッセンスピークを観測した。ピークは、二次元構造における量子閉じ込め効果に因ることを示している。プロジェクター縮小光学系を使用し、N-フルオロピリジニウム塩を用いた光エッチングにより所定表面領域の極薄シリコン層厚さ均一性を向上させる薄膜化法を開発した。
自由記述の分野	工学