2015 年度研究成果報告書

原子レベル平坦界面トランジスタによる電気的特性ばらつき・ノイズの極小化

研究課題

研究課題/領域番号	26820121
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東北大学
研究代表者	黒田理人東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40581294)
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2016-03-31
キーワード	電子デバイス・電子機器 / 電子デバイス・集積回路 / しきい値ばらつき / ランダム・テレグラフ・ノイズ / 原子レベル平坦化
研究成果の概要	Si界面の原子レベル平坦化技術を、シャロートレンチアイソレーション工程を有する最小加工寸法0.22μmの集積回路製造工程に導入し、直径200mmのSiウェハ全面にて微細MOSトランジスタのゲート絶縁膜／Si界面を原子レベルで平坦化することに成功した。100万個を超えるMOSトランジスタ電気的特性の統計的な測定により、従来の平坦性を有する素子と比較したしきい値ばらつきの低減及び1桁程度のランダム・テレグラフ・ノイズ発生確率の低減を実証し、その効果を明らかにした。
自由記述の分野	半導体デバイス