半無限旗多様体の幾何学と量子アフィン展開環のレベル・ゼロ表現論

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26887002
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 代数学
• 研究機関: 東京電機大学 (2015); 東北大学 (2014)
• 研究代表者: 石井 基裕 東京電機大学, 情報環境学部, 助教 (00732463)
• 研究期間 (年度): 2014-08-29 – 2016-03-31
• キーワード: 量子アフィン展開環 / 半無限Bruhatグラフ

研究成果の概要

1. レベル・ゼロ表現のギャラリー模型: 量子アフィン展開環のレベル・ゼロ端ウェイト加群の結晶基底に対する実現を与えるギャラリー模型を導入した。
2. 中心電荷24の正則VOAの構成・分類: 宮本の（位数3）軌道体構成法をNiemeier格子VOAに適用して得られる中心電荷24の正則VOAの分類を与えた。

自由記述の分野

量子アフィン展開環の表現論