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プラズモニックチップに照射された光は、格子結合型表面プラズモン共鳴 (GC-SPR) により基板表面の電場を増強させる。本研究では、プラズモニックチップに調製した膜厚3 icro mのジアリールエテン（DAE）薄膜の開環体1o -> 閉環体1cへの光異性化と結晶化の過程をin situで顕微鏡観察した。これまでに、in situ観察システムの構築、UV光増強電場を作るアルミニウム（Al）プラズモニックチップの調製、Alプラズモニックチップ上での選択的なDAEの光異性化促進と結晶成長を示すことができた。裏面からの光照射では針状結晶化はDAE薄膜のエッジ部分でのみ見られること、結晶化には1cへの異性化率が60%以上必要で周りに1oの足場の存在が必要であることがわかった。
偏光UV光を照射しプラズモン場が結晶化に与える影響を調べた。用いたプラズモニックチップはピッチ300 nmの一次元周期構造で、このチップ上に調製されたDAE薄膜にUV光を裏面から照射した。照射光路に挿入した偏光子は、格子ベクトルkgと垂直な方向と平行な方向に偏光軸をもつようにセットされた。これらの偏光軸は入射光の波数ベクトルkph // kgの入射面においてそれぞれs偏光とp偏光に相当し、sはプラズモンと結合せず、pのみプラズモンとの結合系である。結果、sでは見られなかった結晶の成長がpでは見られた。1cへの異性化による可視域の吸光度の増大は、pで大きく見られ、プラズモン場が生成する条件では異性化が促進され、針状結晶化につながったと考えられる。
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