| 研究概要 |
光誘起表面レリーフ(PSR)形成はアゾベンゼンなどのフォトクロミック分子において報告されているが、スピン機能を有するフォトクロミック系での報告はなく、その形成メカニズムについては明確になっていない。種々のフォトクロミック分子を用いた薄膜における光誘起表面レリーフ形成および形成機構の解明は,表面レリーフ形成に適した分子構造の解明という観点からも重要な課題である。本研究ではラジカル解離型フォトクロミズムを示すヘキサアリールビスイミダゾール(HABI)誘導体,o-Cl-HABIのアモルファス薄膜のPSR形成について検討し,ラジカル解離型フォトクロミック分子に特徴的なPSR形成機構を見出すことを目的とした。
本年度はo-Cl-HABI薄膜にパターン露光を施すと,明部では2分子のo-Cl-TPIRが生成し,暗部ではo-Cl-HABIが残る。化学ポテンシャルは物質量変化に依存するため,明部と暗部の物質量変化により,明部と暗部の間に化学ポテンシャル勾配が誘起される。化学ポテンシャル勾配が生じるとo-Cl-HABI薄膜の明部から暗部,あるいは暗部から明部への物質移動(拡散)が可能となり,結果として明部が凹,暗部が凸となるPSR構造が形成されることを明らかにした。初めて化学ポテンシャル勾配に起因する光物質移動を明らかにしたといえる。
|
