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2010 年度 実績報告書

軌道自由度付フラストレーション系における三量体の物理

公募研究

研究領域フラストレーションが創る新しい物性
研究課題/領域番号 22014013
研究機関早稲田大学

研究代表者

勝藤 拓郎  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00272386)

キーワード幾何学的フラストレーション / 軌道自由度
研究概要

A2V13O22における三量体形成と不純物効果
A2V13O22(A=Ba,Sr)は、Vが規則的に欠損した擬V三角格子が3層、fcc格子的に積層した構造をとり、Baでは290K、Srでは380Kで三量体相転移を起こすことが、我々によって見出されている。このV3+(3d^2)サイトに非磁性不純物Sc、磁性不純物Cr(3d^3)を導入した試料を作製した。その結果、不純物ドーピングによって、三量体相転移に伴う電気抵抗の増大、帯磁率の滅少が消失することを見出した。さらに、帯磁率のキュリーワイスの振る舞いの解析から、三量体形成により全体としてスピンシングレットになっていたVイオンが、不純物ドーピングに伴って全てS=1のスピンに変化していると解釈できることを見出した。
Ba2Ti13O22単結晶の作製と物性
Ba2Ti13O22は、上記のA2V13O22と同じ結晶構造をとるが、V3+(3d^2)ではなくTi3+(3d^1)によって構成されている。この物質の単結晶をFZによって作製した。この単結晶の電気抵抗と帯磁率を測定した結果、この物質は基本的には金属であり、210Kで電気抵抗の増大と帯磁率の減少が起こることを見出した。これは電荷密度波相転移の振る舞いと類似している。また、単結晶および多結晶の結果の比較から、この物質の物性は試料依存性が強いことを見出した。おそらく酸素のoffstoi chi ometryが重要な役割を果たしていると考えられる。

  • 研究成果

    (3件)

すべて 2010

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (1件)

  • [雑誌論文] Phase transitions and the role of vanadium t2g states in AV13018 (A=Sr, Ba)2010

    • 著者名/発表者名
      M.Ikeda, S.Mori, T.Katsufuji, et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B

      巻: 82 ページ: 104415-1-104415-8

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation of a Three-Dimensional Network of V Trimers in A2V13O22 (A=Ba, Sr)2010

    • 著者名/発表者名
      J.Miyazaki, S.Mori, T.Katsufuji, et al
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett.

      巻: 104 ページ: 207201-1-207201-4

    • 査読あり
  • [学会発表] Coupling Between Spin and Orbital Degrees of Freedom in Various Vanadates2010

    • 著者名/発表者名
      T.Katsufuji
    • 学会等名
      International Conference of AUMS
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2010-12-08

URL: 

公開日: 2012-07-19  

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