2005 Fiscal Year Annual Research Report
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17360139
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
木村 健二 京都大学, 工学研究科, 教授 (50127073)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鈴木 基史 京都大学, 工学研究科, 助教授 (00346040)
中嶋 薫 京都大学, 工学研究科, 助手 (80293885)
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| Keywords | ひずみシリコン / ひずみ測定 / 高分解能RBS / イオン注入 |
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| Research Abstract |
現有の高分解能RBS装置に適合する、高精度ゴニオメーターを設計した。さらに、設計に基づいて製作したゴニオメーターの性能評価を行い、設計どおりの性能が達成できていることを確認した。また、現有の高分解能RBS装置とゴニオメーターの両方に適合するロードロックシステムを設計・製作した。これらにより、複数の軸まわりのチャネリング角度スキャンの高い精度の測定が短時間で可能となった。
新しいゴニオメーターを搭載した高分解能RBS装置を用いて、SiGe層上に成長したひずみSiのチャネリング軸まわりの角度スキャン測定を行った。この測定結果に従来の簡単な幾何学モデルを適用してひずみSiのひずみ量を評価した。一方、評価したひずみを使って、チャネリングイオンの軌道シミュレーションを行った結果、簡単な幾何学モデルでは正確なひずみの評価には問題があることを見出した。このために、ひずみSi/SiGe結晶中のチャネリングイオンの軌道シミュレーションを行うためのプログラムコードを開発し、高分解能RBS測定の結果を軌道シミュレーションを用いて解析してひずみを正確に求める方法を開発した。
一方、イオン注入により表面層に非晶質層が形成されたひずみシリコンと、それを熱処理によって再結晶化した試料のひずみを測定し、熱処理によって非晶質層が結晶化する際にひずみが回復することを見出した。
さらに、ひずみシリコンの酸化初期過程を研究するために、超高真空中でのフラッシングによってひずみシリコン表面の清浄化法が可能かどうかの予備的な検討を開始した。
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Research Products
(1 results)
