Development of low-temperature process technology to realize highly reliable flexible integrated devices

2018 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 17H07317
• Research Institution: Hiroshima National College of Maritime Technology
• Principal Investigator: 酒池 耕平 広島商船高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (00740383)
• Project Period (FY): 2017-08-25 – 2019-03-31
• Keywords: 薄膜材料 / レーザアニール

Outline of Annual Research Achievements

曲げられるディスプレイや太陽電池に代表されるフレキシブルエレクトロニクスの飛躍的な進歩を実現する為には、フレキシブル基板上で高性能電子デバイスを作製する必要がある。これまでに、フレキシブル基板上で高性能単結晶シリコン(Si) MOSFETを作成できる低温転写デバイスプロセス技術を確立している。この技術を更に進化させるために本研究では、フレキシブル基板上で回路集積を行う為の新規技術開発を目的とする。
着任年度ということもあり、研究環境の構築を急務とし、本年度は、研究に必要な装置の設計・試作・動作確認を行うことに注力した。本研究では、耐熱性の低いフレキシブル基板上での高品質金属配線及び層間絶縁膜の新規形成法を確立するために、間接加熱法等を提案した。提案技術は、既存技術ではない為、装置の設計・試作を自ら行い自作した。試作装置を用いて金属薄膜の形成実験を行ったところ、従来の方法に比べ短時間・低温下で軽微ながら低抵抗化できていることが確認できた。得られた結果から、今後、各種パラメータの最適化を行うことで、既存技術よりも短時間・低温下で高品質薄膜が形成できる可能性が示唆されている。また、絶縁膜においても提案した間接加熱法を適応したところ、高品質化できることが確認できた。
現在、これら技術を用いたフレキシブルデバイス応用を目指し、上記結果を踏まえて、より高品質な薄膜を形成できる条件の最適化及び、評価実験に取り組んでいる。

Research Progress Status

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。