• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2012 Fiscal Year Annual Research Report

ナノ表面・界面制御による超薄型シリコン太陽電池の高効率化に関する研究

Research Project

Project/Area Number 22246001
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

小長井 誠  東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (40111653)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 宮島 晋介  東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (90422526)
Project Period (FY) 2010-04-01 – 2014-03-31
Keywords太陽電池 / 太陽光発電 / ヘテロ接合 / シリコン太陽電池
Research Abstract

太陽電池分野において圧倒的な技術優位を築くため、シリコン薄膜太陽電池技術とバルクシリコン太陽電池技術を融合化した薄型高効率シリコン太陽電池の研究開発を行っている。
①テクスチャ基板上への高品質ヘテロ接合の形成:光閉じ込めのため、表面に凹凸構造を形成すると光電流は増加するが、一方で、表面にいろいろな結晶面が露出する。このように異なる結晶面が露出している表面をパッシベーションする際、面ごとにパッシベーション効果が異なる。そこで、アルカリエッチした凹凸構造にCPエッチングを施すことにより、凹凸面の形状を制御し、パッシベーション膜形成の最適化を試みた。その結果、初期的ながら17.4%まで変換効率を向上させることに成功した。一方、平坦なSiウェハを用いたヘテロ接合では、アモルファスSiOをパッシベーション膜に用いたSiO系ヘテロ接合により、開放電圧723mV 、変換効率19.1%を達成した。
②p型nc-3C-SiC/Siヘテロ接合の高品質化:高品質p型nc-3C-SiCを形成するためには、n型nc-3C-SiCの場合よりも多量の原子状水素添加を必要とする。したがってp型nc-3C-SiC/n-Si界面形成時に原子状水素による損傷が非常に大きく、この問題の克服がこの系の性能向上の障害となっていた。本年度、界面バッファ層の形成条件の見直しを行ったところ、キャリアライフタイムを従来の2 msecから4.5 msecまで向上させることに成功した。
③デバイスシミュレーションによる設計指針の確立: 市販のデバイスシミュレータによりSiウェハの厚さを200ミクロンから100ミクロン、さらには10ミクロンまで薄くしていった場合の開放電圧の挙動を理論解析している。その結果、表面再結合速度を数cm/sまで減少させれば、0.8 Vの開放電圧も得られるとの理論的見通しを得た。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

(理由)ヘテロ界面に挿入するバッファ層の形成条件を、キャリアライフタイム測定の結果をもとに最適化したところ、開放電圧が0.72Vを超す、極めて有望な結果が得られた。またキャリアライフタイムから予測される開放電圧は、0.73V以上が得られており、今後、電極などのデバイス周辺技術の最適化により、いっそうの高効率化が可能との見通しが得られている。

Strategy for Future Research Activity

Si基板として表面がフラットなウェハを用いると、700mVを超す高い開放電圧が安定して得られるが、反射損が大きくなって光電流は減少する。そこで反射損を減少させるため、アルカリエッチングした凹凸基板を使って光閉じ込めの強化を図っているが、凹凸基板では、結晶方位の異なる複数の面が露出しているため、パッシベーション効果にムラがあり、開放電圧が平坦基板に比べ数10mV減少している。今後は、これまで以上に精密な界面制御が必要である。

  • Research Products

    (10 results)

All 2012 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (6 results) (of which Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Preparation of Al-doped hydrogenated nanocrystalline cubic silicon carbide by VHF-PECVD for heterojunction emitter of n-type crystalline silicon solar cells2012

    • Author(s)
      Daisuke Hamashita, Shinsuke Miyajima, and Makoto Konagai
    • Journal Title

      SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS

      Volume: vol.107 Pages: 46-50

    • DOI

      10.1016/j.solmat.2012.07.029

  • [Journal Article] Preparation of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide / n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells by VHF-PECVD2012

    • Author(s)
      Daisuke Hamashita, Yasuyoshi Kurokawa, and Makoto Konagai
    • Journal Title

      Energy Procedia

      Volume: vol.10 Pages: 14-19

  • [Journal Article] Development of the Transparent Conductive Oxide Layer for Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide/Silicon Heterojunction Solar Cells with Aluminum Oxide Passivation Layers2012

    • Author(s)
      Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Tatsuro Watahiki and Makoto Konagai
    • Journal Title

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      Volume: 51 Pages: 02BP04, 1-4

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.02BP04

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Effect of chemical polish etching on performance of nanocrystalline cubic silicon carbide / crystalline silicon heterojunction solar cells2012

    • Author(s)
      Ateto E. Omondi, Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Makoto Konagai
    • Organizer
      The 22th Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • Place of Presentation
      Hangzhou, China
    • Year and Date
      20121105-09
  • [Presentation] Application of intrinsic amorphous silicon oxide films as passivation layers for textured heterojunction solar cells2012

    • Author(s)
      Kazuyoshi Nakada and Makoto Konagai
    • Organizer
      27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • Place of Presentation
      Frankfurt, Germany
    • Year and Date
      20120924-20120928
  • [Presentation] ヘテロ接合Si太陽電池用i-a-SiO:Hパッシベーション膜の評価2012

    • Author(s)
      山口裕美子,綿引達郎,小長井誠
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      松山
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Conductive-AFM法を用いたp型ナノ結晶3C-SiC:H薄膜の結晶性評価2012

    • Author(s)
      浜下大輔、黒川康良、小長井誠
    • Organizer
      第9回次世代の太陽光発電システムシンポジウム
    • Place of Presentation
      京都
    • Year and Date
      20120531-20120601
  • [Presentation] a-SiO:H薄膜によるヘテロ接合太陽電池のパッシベーション効果向上2012

    • Author(s)
      中田和吉, 小長井誠
    • Organizer
      第9回次世代の太陽光発電システムシンポジウム
    • Place of Presentation
      京都
    • Year and Date
      20120531-20120601
  • [Presentation] シリコン太陽電池における革新技術開発

    • Author(s)
      小長井誠
    • Organizer
      日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会第6回講習会
    • Place of Presentation
      東京
    • Invited
  • [Remarks] 小長井・宮島研究室

    • URL

      http://solid.pe.titech.ac.jp/

URL: 

Published: 2014-07-24  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi