| 研究課題/領域番号 |
19760230
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
天川 修平 東京工業大学, 統合研究院, 特任助教 (40431994)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,780千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 480千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2007年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 高周波測定 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 |
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| 研究概要 |
高周波において基板バイアスがMOSFETの特性におよぼす影響を調べるための基礎技術として、4ポートのde-embedding技術の開発をおこなった。OPEN、SHORTなどのダミーパターンを利用した方法だと、誤差が大きいこと知られているので、THRUダミーパターンだけを使った4ポートデバイス用の方法を考案した。この方法をオンチップ差動伝送線路の評価に用いたところ、有効性を確認できた。
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