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GaAs への希薄窒素デルタドーピングと高効率面放出型光子源の開発

研究課題

研究課題/領域番号 23656222
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関神戸大学

研究代表者

喜多 隆  神戸大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10221186)

研究分担者 原田 幸弘  神戸大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10554355)
研究期間 (年度) 2011 – 2012
研究課題ステータス 完了 (2012年度)
配分額 *注記
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
キーワード不純物 / GaAs / 窒素ペア / 光子放出
研究概要

半導体中に制御して添加した希薄な不純物は固有の電子状態を通じて不均一エネルギー広がりのない究極の量子ドットとして利用できる。このような量子ドットは励起子と光の相互作用を利用したデバイス応用に期待されている。本研究では GaAs への窒素のδドーピング技術を開発し、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造を明らかにした。また、高効率面放出型光子源のデバイス構造を明らかにした。

報告書

(3件)
  • 2012 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2011 実施状況報告書
  • 研究成果

    (47件)

すべて 2013 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (13件) (うち査読あり 13件) 学会発表 (32件) (うち招待講演 3件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Effects of Pumping on Propagation Velocities of Confined Exciton Polaritons in GaAs/AlxGa1-xAs Double Heterostructure Thin Films Under Resonant and Non-Resonant Probe Conditions2013

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima, S. Ohta, T. Kita, and T. Isu
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: Vol. 113 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.4772717

    • NAID

      120005301743

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of Optical Anisotropy by Interconnection Effect along Growth Direction in Multistacked Quantum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      H. Tanaka, O. Kojima, T. Kita,and K. Akahane
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: Vol. 52 号: 1R ページ: 012001-012001

    • DOI

      10.7567/jjap.52.012001

    • NAID

      40019557209

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Carrier Dynamics of the Intermediate State in InAs/GaAs Quantum Dots Coupled in a Photonic Cavity under Two-Photon Excitation2012

    • 著者名/発表者名
      T. Kita, T. Maeda, and Y. Harada
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: Vol. 86 号: 3

    • DOI

      10.1103/physrevb.86.035301

    • NAID

      120005465536

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書 2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Extremely Uniform Bound Exciton States in Nitrogen δ-doped GaAs Studied by Photoluminescence Spectroscopy in External Magnetic Fields2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: Vol. 110 号: 8

    • DOI

      10.1063/1.3654015

    • NAID

      120003609782

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Depolarization Effect on Optical of Exciton States Confined in GaAs Thin Films2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, and T. Isu
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: Vol. 110 号: 4

    • DOI

      10.1063/1.3624667

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of Phase Shifts in a Vertical Cavity Quantum Dot Switch2011

    • 著者名/発表者名
      C. Y. Jin, O.Kojima, T. Kita, O. Wada, and M. Hopkinson
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: Vol. 98 号: 23

    • DOI

      10.1063/1.3596704

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dephasing of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films2011

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, and T. Isu
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn

      巻: Vol. 80, No. 3 号: 3 ページ: 034704-034704

    • DOI

      10.1143/jpsj.80.034704

    • NAID

      210000108943

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: Vol. 8, No. 2 号: 2 ページ: 365-367

    • DOI

      10.1002/pssc.201000515

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Extremely Uniform Bound Exciton States in Nitrogen δ-doped GaAs Studied by Photoluminescence Spectroscopy in External Magnetic Fields2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 110

    • NAID

      120003609782

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Depolarization Effect on Optical of Exciton States Confined in GaAs Thin Film2011

    • 著者名/発表者名
      T. Yamashita
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of Phase Shifts in a Vertical Cavity Quantum Dot Switch2011

    • 著者名/発表者名
      C. Y. Jin
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 98

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dephasing of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films2011

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 80

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada
    • 雑誌名

      Physica Status Solid C

      巻: 8 ページ: 365-367

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 窒素を高密度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性2013

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、山本益輝、馬場健、喜多隆
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] 窒素を高密度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性2013

    • 著者名/発表者名
      田幸弘、山本益輝、馬場健、喜多隆
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御2012

    • 著者名/発表者名
      山本益輝、木村航平、原田幸弘、喜多隆
    • 学会等名
      第23回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      2012-12-07
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] GaAsエピタキシャル界面への窒素デルタドーピングと超高均一発光2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス、特別講演(招待講演)
    • 年月日
      2012-11-10
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強2012

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、前田剛志、喜多隆
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学、松山大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials
    • 発表場所
      Groningen
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, Tand T. Kita
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Nara(招待講演)
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] III-V族量子構造を用いたナノフォトニクス応用2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第17回研究会
    • 発表場所
      神戸大学(招待講演)
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Delocalization ofElectronic States Formed by Nitrogen Pairs in GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Izu
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] 原田幸弘"GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学、15p-E1-7(招待講演)
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials
    • 発表場所
      Groningen
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada and T. Kita
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表場所
      Nara
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御2012

    • 著者名/発表者名
      山本益輝、木村航平、 原田幸弘、喜多隆
    • 学会等名
      第23回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] GaAsエピタキシャル界面への窒素デルタドーピングと超高均一発光2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      第42回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      福岡
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強2012

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、前田剛志、喜多隆
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      松山
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] III-V族量子構造を用いたナノフォトニクス応用2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第17回研究会
    • 発表場所
      神戸
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Delocalization of Electronic States Formed by Nitrogen Pairs in GaAs2012

    • 著者名/発表者名
      M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Izu
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性2012

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      東京
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子一格子相互作用2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
    • 学会等名
      第22回光物性研究会(2011)
    • 発表場所
      熊本大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Aichi
    • 発表場所
      Aichi
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
    • 学会等名
      日本物理学会2011年秋季大会、
    • 発表場所
      富山大学、21pPSA-37
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
    • 学会等名
      第72回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T.Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Biwako
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Diamagnetic Shift of Exciton Bound to the Nitrogen Pairs in GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Germany
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子一格子相互作用2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘
    • 学会等名
      第22回光物性研究会
    • 発表場所
      熊本
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      名古屋
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘
    • 学会等名
      日本物理学会2011年秋季大会
    • 発表場所
      富山
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光2011

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘
    • 学会等名
      第72回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      山形
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      滋賀
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [学会発表] Diamagnetic Shift of Exciton Bound to the Nitrogen Pairs in GaAs2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada
    • 学会等名
      38th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Berlin
    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/

    • 関連する報告書
      2011 実施状況報告書

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公開日: 2011-08-05   更新日: 2019-07-29  

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