2008 Fiscal Year Final Research Report
Fabrication and characterization of normally-off GaN HEMTs
| Project/Area Number |
18206041
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
MIZUTANI Takashi Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70273290)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KISHIMOTO Shigeru 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10186215)
OSAKA Jiro 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20377849)
(MASAHITO Kurouchi 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 研究員 (10452187)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | GaN / HEMT、ノーマリオフ、MOSFET / InGaN cap / ひずみ分極 |
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| Research Abstract |
本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。
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