| 配分額 *注記 |
64,000千円 (直接経費: 64,000千円)
2010年度: 10,400千円 (直接経費: 10,400千円)
2009年度: 11,200千円 (直接経費: 11,200千円)
2008年度: 12,800千円 (直接経費: 12,800千円)
2007年度: 13,600千円 (直接経費: 13,600千円)
2006年度: 16,000千円 (直接経費: 16,000千円)
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| 研究概要 |
高In組成InGaNについては,とくに半極性{11-22}面の利用を提案し,InGaN量子井戸における高い輻射再結合確立を実証した.さらに,この面を利用した青から赤色の発光ダイオードを試作した.また,評価装置として2 本の独立したプローブを用いる近接場光学顕微鏡を開発し,InGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスを可視化した.高Al組成AlGaNについては,高品質な薄膜結晶をサファイア(0001)面上に作製するための結晶成長法を確立した.(0001)面から強い発光を得るための量子構造の設計指針を明らかにし,さらに,それを利用して,電子線励起によるAlGaN量子井戸からの高効率(最大40%),高出力(最大100mW)発光を深紫外域(240nm)で達成した.
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