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極微細金属配線における高密度電子流に誘起される方向性原子移動現象の解明及び制御

研究課題

研究課題/領域番号 03555061
研究種目

試験研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子材料工学
研究機関広島大学

研究代表者

新宮原 正三  広島大学, 工学部, 助教授 (10231367)

研究分担者 金子 尚史  東芝(株), ULSI研究所, 主任研究員
坂上 弘之  広島大学, 工学部, 助手 (50221263)
進藤 春雄  福山大学, 工学部, 助教授 (20034407)
堀池 靖浩  東洋大学, 工学部, 教授 (20209274)
研究期間 (年度) 1991 – 1993
研究課題ステータス 完了 (1993年度)
配分額 *注記
15,900千円 (直接経費: 15,900千円)
1993年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1992年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1991年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
キーワードエレクトロマイグレーション / 電子顕微鏡その場観察 / ボイド / 高磁場ECRスパッタ / 自己維持スパッタ / 分子動力学シミュレーション / 結晶粒界 / 析出合金 / ECRスパッタ / 抵抗振動 / マグネトロンスパッタ / 分子動力学計算 / ボイド移動 / 結晶粒界拡散 / コンタクト埋め込み / STM / エレクトロマイグレ-ション / マイクロ波プラズマ / 金属薄膜 / CuAl合金 / 表面拡散 / アルミニウム / スパッタリング
研究概要

極微細金属配線での高密度電子流に誘起された原子拡散現象(エレクトロマイグレーション)に関して、走査電子顕微鏡その場観察、高精度抵抗変化測定、分子動力学計算機シミュレーションなどを用いた機構解明、また新しい物理的金属薄膜堆積法である高磁場ECRスパッタ法や自己維持スパッタ法による高精度制御法の基礎検討を行った。まず機構解明においては、電子顕微鏡その場観察により、一般に広く使用されているAlCu合金配線でのCuAl析出合金のエレクトロマイグレーションドリフト速度測定及び活性化エネルギー測定に世界で初めて成功した。また、直流電流下においてもエレクトロマイグレーションに誘起された抵抗の非線形振動現象があることを発見し、局所的および非局所的の2通りがあることを明らかにした。さらに、ボイドの陰極側への移動現象を分子動力学シミュレーションにより計算機上で再現することに成功し、電流停止後のバックフロー現象がボイド-結晶粒界間に形成された応力勾配の緩和により起きることを明らかにした。つぎに高精度制御法においては、通常のECR条件の2倍の高磁場での共鳴プラズマを見出し、これを用いた高磁場ECRスパッタを行い、高イオン化率スパッタを実現した。この結果、零下100℃の低温にて基板負バイアス印加によりAl(111)配向性が制御でき、エレクトロマイグレーション配線寿命が著しく改善されることが明らかとなった。また一方、スパッタ雰囲気ガスを必要としない金属イオンプラズマによる銅の自己維持スパッタを、直流マグネトロン源により世界に先駆けて実現した。これにより従来技術と比較して銅薄膜中の残留Ar量を一桁以上低減でき、ボイド核生成の抑止が可能となり、エレクトロマイグレーション耐性の著しい向上が期待できる。

報告書

(4件)
  • 1993 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1992 実績報告書
  • 1991 実績報告書
  • 研究成果

    (41件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (41件)

  • [文献書誌] K.Fujiki,A.Sano,K.Inoue,H.Sakaue,S.Shingubara and Y.Horiike: "Resistance Oscillations Induced by a Direct Current Electromigration" Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials. 922-924 (1994)

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    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 新宮原正三、宇都宮勇夫、藤井泰三: "アルミニウム配線中のボイドのエレクトロマイグレーション挙動の分子動力学シミュレーション" 電気情報通信学会論文誌. J78-CII. 294-304 (1995)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,I.Utsunomiya and T.Takahagi: "Interaction of a Void and a Grain Boundary under a High Electric Current Stress Employing Three Dimensional Molecular Dynamics Simulation" Applied Surface Science. (accepted for publication).

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,T.Fujii,I.Utsunomiya,and Y.Horiike: "Three Dimensional Molecular Dynamics Study of Void Electromigration in a Strained Bicrystal with a Grain Boundary" Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials. 186-188 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,N.Morimoto,I.Utsunomiya,H.Shindo,and Y.Horiike: "Sputtering of TiN/Ti Films into Submicron Contact Holes Employing ECR Sputtering with High Magnetic Field" The Electrochemical Sciety Proceedings. 96-25. 246-255 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,T.Fujii,and Y.Horiike: "Molecular Dynamics Study of Void Movement due to Electromigration" The Electrochemical Society Proceedings. 93-6. 263-270 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto,S.Takehiro,Y.Matsui,I.Utsunomiya,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike.: "Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Mat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-VIII. 257-266 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto,S.Takehiro,Y.Matsui,I.Utsunomiya,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike.: "Vertical and Lateral Hole Aluminum Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Appl.Phys.Lett. 63. 737-739 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,Y.Nakasaki,and H.Kaneko.: "Electromigration in a Single Crystalline Submicron Width Aluminum Interconnection" Appl.Phys.Lett.58. 42-44 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,H.Kaneko,and M.Saitoh.: "Electromigration-Induced Abrupt Changes in Electrical Resistance Associated with Void Dynamics in Aluminum Interconnections" J.Appl.Phys.69. 207-212 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Takehiro,N.Yamanaka,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike: "Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field" Jpn.J.Appl.Phys.30. 3657-3661 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Kawanoue,H.Kaneko,M.Hasunuma,and M.Moyauchi: "Electromigration-induced Void Growth in Bamboo Structures" J.Appl.Phys.74. 4423-4429 (1993)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Takehiro,N.Yamanaka,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike.: "Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field" Extended Abstracts of the 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials. 129-131 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara,H.Nishida,A.Fukukawa,H.Sakaue,and Y.Horiike.: "Observation of a Copper-Aluminum Precipitate Electromigration in a Submicron Width Aluminum Interconnection"" Proc.of 1991 VLSI Multilevel Interconnection Conference. 265-271 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto,S.Takehiro,Y.Matsui,I.Utsunomiya,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike.: "Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field"" Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials.96-98 (1992)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, K.Fujiki, A.Sano, K.Inoue, H.Sakaue, and Y.Horiike: "Resistance Oscillations Induced by a Direct Current Electromigration" Jpn.J.Appl.Phys.vol.34. 1030-1036 (1995)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, I.Utsunomiya, and T.Takahagi: "Interaction of a Void and a Grain Boundary under a High Electric Current Stress Employing Three Dimensional Molecular Dynamics Simulation" Applied Surface Science accepted for publication. (1995)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Shoso Shingubara: "Migration Problems in Submicron Metal Interconnections" Trans.Mat.Res.Soc.Jpn.vol.14B. 1317-1322 (1994)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, A.Sano, I.Utsunomiya, Y.Horiike, Z.J.Radzimski, W.N.Posadowski.: "Sustained Self-Sputtering of Copper Film Employing DC Magnetron Source" Advanced Metallization for ULSI Applications 1993, MRS Conference Proceedings. 87-94 (1994)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, H.Nishida, H.Sakaue and Y.Horiike: "Electromigration Characteristics of Cu-Al Precipitate in AlCu Interconnection" Jpn.J.Appl.Phys.vol.33. 3860-3863 (1994)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, K.Fujiki, A.Sano, H.Sakaue and Y.Horiike: "Electromigration Characteristics of Cu and Al Interconnections" Mater.Res.Soc.Symp.Proc.vol.338. 441-451 (1994)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, I.Utsunomiya and Y.Horiike: "Simulation of Void Dynamics Caused by Atom Migration Under High Electric Current and Stress in Metal Interconnections" Proc.of 1994 VMIC Conference. 518-520

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto, S.Takehiro, Y.Matsui, I.Utsunomiya, H.Shindo, S.Shingubara, and Y.Horiike.: "Vertical and Lateral Hole Aluminum Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Appl.Phys.Lett.vol.63. 737-739 (1993)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto.S.Takehiro, Y.Matsui, I.Utsunomiya, H.Shindo, S.Shingubara, and Y.Horiike.: "Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Mat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-VIII. 257-266 (1993)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Kawanoue, H.Kaneko, M.Hasunuma, and M.Moyauchi: "Electromigration-induced Void Growth in Bamboo Structures" J.Appl.Phys.vol.74. 4423-4429 (1993)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, T.Fujii, I.Utsunomiya, and Y.Horiike: "Three Dimensional Molecular Dynamics Study of Void Electromigraion in a Strained Bicrystal with a Grain Boundary" Extended Abstracts of the Conference on Solid State Devices and Materials. 186-188 (1993)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, Y.Nakasaki, and H.Kaneko: "Electromigration in a Single Crystalline Submicron Width Aluminum Interconnection" Appl.Phys.Lett.vol.58. 42-44 (1991)

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    • 関連する報告書
      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Shingubara, H.Kaneko, and M.Saitoh: "Electromigration-Induced Abrupt Changes in Electrical Resistance Associated with Void Dynamics in Aluminum Interconnections" J.Appl.Phys.vol.69. 207-212 (1991)

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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Takehiro, N.Yamanaka, H.Shindo, S.Shingubara, and Y.Horiike: "Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field" Jpn.J.Appl.Phys.vol.12B. 3657-3661 (1991)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1993 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Morimoto: "Vertical and Lateral Hole Aluminum Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Appl.Phys.Lett.63. 737-739 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] N.Morimoto: "Submicron SiO2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Mat.Res.Soc.Conf.Proc.ULSI-VIII. ULSI-VIII. 257-266 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] S.Shingubara: "Three Dimensional Molecular Dynamics Study of Void Electromigration in a Strained Bicrystal with a Grain Boundary" Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials. 186-188 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] S.Shingubara: "Molecular Dynamics Study of Void Movement due to Electromigration" Proc.of the 3rd Int.Symp.on Process Physics and Modelling in Semiconductor Technology,ECS. 93-6. 263-270 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] S.Shingubara: "Sputtering of TiN/Ti Films into Submicron Contact Holes Employing ECR Sputtering with High Magnetic Field" Proc.ECS Symp.,Reliability for Semiconductor Devices,Interconnects,and Thin Insulator Materials. 93-25. 246-255 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] S.Shingubara: "Sustained Self-Sputtering of Copper Film Employing DC Magnetron Source" Proc.MRS,Advanced Metallization for ULSI Applications 1993. 87-94 (1993)

    • 関連する報告書
      1993 実績報告書
  • [文献書誌] N.Morimoto,S,Takahiro,Y.Matsui,I,Utsuniomiya,H.Shindo,S.Shingubara,and Y.Horiike: "Submicron SiO_2 Hole Filling Characteristics Employing ECR Al Sputtering with High Magnetic Field" Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State devices and Materials. 96-98 (1992)

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] Shoso Shingubara, Taizo Fujii,and Y.Horiike: "Molecular Dynamics Study of Void Movement due to Electromigration --to be published" Abstracts of 183rd Meeting of the Electrochemical Society,Inc.8

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] S.Shingubara,N.morimoto,S.Takehiro,H.shindo,and Y.Horiike: "Submicron Hole Filling Characteristics Employing ECR Sputtering with High Magnetic Field --being published--" Proceedings of the Advanced Metallization for ULSI Applications 1992. 10

    • 関連する報告書
      1992 実績報告書
  • [文献書誌] S Takehiro;S Shingubara;N Yamanaka;Y Horiike;H Shindo: "Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field" Jpn.J.Appl.Phys.30. 3657-3661 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] S Shingubara;A Fukukawa;H Nishida;Y Horiike;H Sakaue: "Observation of a Copper-Aluminum Precipitate Electromigration in a Submicron Width Aluminum Interconnection" Proc.International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference. 8. 265-271 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書
  • [文献書誌] S Takehiro;H Shindo;N Yamanaka;S Shingubara;A Narai;Y Horiike: "Sputtering of Aluminum Film Using Microwave Plasma with High Magnetic Field" Extended Abstracts of 23rd Conference of Solid State Devices and Materials. 129-131 (1991)

    • 関連する報告書
      1991 実績報告書

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公開日: 1991-04-01   更新日: 2016-04-21  

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