研究課題/領域番号 |
10650053
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物理学一般
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
細田 直江 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (50280954)
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研究分担者 |
伊藤 寿浩 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (80262111)
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研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1999年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1998年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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キーワード | ダイナミック走査型力顕微鏡 / プラズマエッチング / マイクロ走査型力顕微鏡プローブ / プローブカード / フリッティング / プローブエッチング / 走査型力顕微鏡 / ウェハプローブカード / ICテスト / 接触抵抗 / ウエハプローブカード / プローブ / MEMS / 高真空走査型プローブ顕微鏡 / ドライエッチング / マイクロプラズマ |
研究概要 |
1.Au導電性カンチレバーを用いたダイナミック走査型力顕微鏡(SFM)システムにより局所的にプラズマ加工が可能な装置を構築し、反応ガスとしてはCF_4を用いてSi表面の局所加工を試みた。バックグラウンド真空度を1x10^<-5>Torrとし、0.1〜1.0mTorrまでCF_4ガスを導入し、ダイナミック(周期的接触)モードで動作された状態で、プローブー試料間に10V以下の電圧を印加したが、これらの条件ではダイナミックモードのSFMで観察が可能な穴などは観察されなかった。 2.プローブプラズマエッチングのためのプローブ開発:プローブ単体で3次元走査が可能なマイクロ走査型力顕微鏡(SFM)プローブの開発を行った。本プローブは,1μm角の領域の走査が可能で、かつ標準的な操作条件で1nm程度の垂直分解能を有していた。 3.半導体素子検査用のアクティブプローブカードへの応用を目的とし、局所的なプローブ加工法の一つといえるフリッティングについて検討した。フリッティングに必要なプローブ接触力および接触後の凝着力を測定した結果、ICパッド材料であるAl膜を対象とした場合には、Auめっきプローブを用いたフリッティングにより、外部から力(接触力)を与えなくても0.3Ω以下の低抵抗コンタクトが得られることがわかった。また、その凝着力は0.3mN程度であり、マイクロマシンタイプのアクティブプローブカードの実現可能性が示された。
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