| 研究課題/領域番号 |
15K21684
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 神奈川県産業技術センター |
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研究代表者 |
黒内 正仁 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員 (10452187)
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| 研究協力者 |
安井 学 神奈川県産業技術センター, 電子技術部, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 窒化アルミニウムガリウム / オーミック電極 / 電子線リソグラフィ / 電極 / 微細加工 |
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| 研究成果の概要 |
深紫外AlGaN発光ダイオードは短波長化する上で、Al組成が高いAlGaNを必要とするが、低抵抗のオーミック電極を得ることが困難である。そこで、アニール処理によってN脱離しやすいN極性面を利用する3次元形状の形成技術の構築を行う。高密度パターンの形成のために、電子線リソグラフィの検討を行った。ハーフピッチ 50nmのラインアンドスペースパターンを形成する方法について調べた。ドーズ量と電子線露光領域幅とパターンサイズの関係は2変数2次関数がよく合う結果となった。近接効果補正の条件を実験結果から得られたフィッティングパラメータから推定できることが分かった。
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