| 研究課題/領域番号 |
18063001
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 研究分担者 |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
41,200千円 (直接経費: 41,200千円)
2009年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
2008年度: 8,000千円 (直接経費: 8,000千円)
2007年度: 8,000千円 (直接経費: 8,000千円)
2006年度: 17,600千円 (直接経費: 17,600千円)
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| キーワード | 量子へテロ構造 / プラズマ / エピタキシャル成長 / 原子層制御 / IV族半導体 / 量子ヘテロ構造 |
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| 研究概要 |
基板非加熱ECR Arプラズマ照射下での原料ガスの表面反応により、原子オーダ平坦性を有するナノメートルオーダ厚さの高度歪Ge形成、並びに、高度歪SiやB原子層ドープSiの形成に成功した。そして、IV族エピタキシャル成長におけるプラズマの低エネルギー化の推進は、Arプラズマ照射によるプラズマ損傷やB還元脱離の問題を抑制し、高度歪導入とB原子層ドーピングの超高濃度化のために極めて重要であることを明らかにした。
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