研究課題/領域番号 |
18063009
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研究種目 |
特定領域研究
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配分区分 | 補助金 |
審査区分 |
理工系
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア研究センター, 教授 (40313358)
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研究分担者 |
服部 健雄 東京工業大学, フロンティア研究センター, 客員教授 (10061516)
筒井 一生 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (60188589)
角嶋 邦之 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教 (50401568)
パールハット アヘメト (PARHAT AHMET / AHMET Parhat / PARHAT Ahmet) 東京工業大学, フロンティア研究センター, 特任准教授 (00418675)
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研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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配分額 *注記 |
43,600千円 (直接経費: 43,600千円)
2009年度: 10,400千円 (直接経費: 10,400千円)
2008年度: 10,400千円 (直接経費: 10,400千円)
2007年度: 11,400千円 (直接経費: 11,400千円)
2006年度: 11,400千円 (直接経費: 11,400千円)
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キーワード | ばらつき / ゆらぎ / CMOS / ダブルゲート / FinFET / シリサイド / 感度解析 / トランジスタ / 3次元構造 / ロバストネス / 特性ばらつき / ショットキー / オン電流 / MOSFET / 3次元 / ショットキー接合 / 数値解析 / 三次元構造MOSFET / しきい値 / Schottky source / drain / エネルギー障壁 / 短チャネル効果 / Niシリサイド |
研究概要 |
素子の微細化が進む集積回路には新しい三次元立体構造のトランジスタが使われると予想されるが、その構造が大きく変わるため微細化で課題となる特性ばらつきについては未知の部分が多かった。本研究では、デバイスシミュレーションによって様々な構造ゆらぎから生ずる特性ばらつきを体系的に解析し、ばらつきを起こしにくいロバスト性の高いトランジスタ実現への指針を明らかにした。また、これを実現するためのプロセス技術として新しいシリサイド電極の製作について実験的研究を行い、低抵抗の電極形成技術の可能性を示した。
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