| 研究課題/領域番号 |
18063017
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
宮崎 誠一 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
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| 研究分担者 |
東 清一郎 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 准教授 (30363047)
村上 秀樹 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
109,100千円 (直接経費: 109,100千円)
2009年度: 17,600千円 (直接経費: 17,600千円)
2008年度: 29,200千円 (直接経費: 29,200千円)
2007年度: 34,800千円 (直接経費: 34,800千円)
2006年度: 27,500千円 (直接経費: 27,500千円)
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| キーワード | 量子ドット / ハイブリッドナノドット / フローティングゲートメモリ / Si量子ドット / 金属ナノドット / ハイブリッドドット / フローティングゲート / 光レスポンス / シリコン量子ドット / シリサイドナノドット / ハイブリッド構造 / メモリデバイス / 不揮発メモリ / 量子サイズ効果 / 不揮発性メモリ |
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| 研究概要 |
自己組織化形成したシリコン量子ドット上にNi薄膜を形成後、水素プラズマ処理を施してNiシリサイドナノドットを形成すると共に、このNiシリサイドナノドットが極薄シリコン酸化膜を挟んでシリコン量子ドット上に配置したハイブリッドナノドット構造を作成し、フローティングゲートメモリへの応用研究を推進した。
ハイブリッドナノドットMOSデバイスにおいて、パルスゲートバイアス印加により、電荷注入放出過程を調べた結果、シリコンナノドットの離散化したエネルギ-準位を反映した多段階の電荷注入・放出特性が得られると共に、Niシリサイドの深いポテンシャル井戸を反映した、良好な電荷保持特性が得られた。
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