| 研究課題/領域番号 |
18360023
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
畑 浩一 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30228465)
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| 研究分担者 |
清水 哲夫 (独)産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (40357215)
佐藤 英樹 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (40324545)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,110千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 1,710千円)
2008年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2007年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2006年度: 9,700千円 (直接経費: 9,700千円)
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| キーワード | スピン偏極電子源 / 電界電子放出 / スピントロニクス / ハーフメタル / ホイスラー合金 / 強磁性体 / マグネタイト / Verwey転移 / カーボンナノチューブ / 磁性体 |
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| 研究概要 |
カーボンナノチューブ(CNT)成長の触媒金属になり得るハーフメタル強磁性体からの電界放出電子のスピン偏極度の測定を行った。Co2MnSi薄膜表面からの電界放出電子のスピン偏極度は、室温で10~47%の高い値で得られた。また<110>配向単結晶マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のスピン偏極度は、Verwey転移温度で約5%から最大14%まで増加した。以上の結果から、ハーフメタル材料は電界放出型スピン偏極電子源の陰極材料として適していることが示唆され、またこれらハーフメタルを触媒に用いたCNTには、スピン注入が行える可能性が示された。
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