液晶場での高配向な元素配列に基づく常温強磁性体の実現

• 研究課題/領域番号: 19K22213
• 研究種目: 挑戦的研究(萌芽)
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野
• 研究機関: 千葉大学
• 研究代表者: 桑折 道済 千葉大学, 大学院工学研究院, 准教授 (80512376)
• 研究期間 (年度): 2019-06-28 – 2021-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2019年度)
• 配分額: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円); 2020年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2019年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
• キーワード: ランタノイド元素 / ホルミウム / 液晶 / 自己組織化 / 磁性

研究開始時の研究の概要

常温で駆動する次世代磁気デバイス開発に向け、磁場を取り去った後も残留磁化を示す‘強磁性’を常温で発現する材料が重要である。我々は、新たな磁性体の開発に向け、高い磁性を示すランタノイド元素を複合した材料開発を行なっている。本研究では、自己組織化的に組み上がる液晶の秩序性を利用し、ランタノイド元素に高い配向秩序性を付与し、低エネルギープロセスで常温強磁性体を作製する新たな概念の確立に挑戦する。