シリコン単電子・量子・CMOS 融合3次元ナノ集積回路システムに関する研究

• 研究課題/領域番号: 20360152
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 中央大学 (2011-2012); 東京大学 (2008-2010)
• 研究代表者: 竹内 健 中央大学, 理工学部・電気電子情報通信工学科, 教授 (80463892)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2011年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円); 2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円); 2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円); 2008年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
• キーワード: メモリ / SSD / 3次元 LSI / 電源 / 低消費電力 / フラッシュメモリ / 3次元LSI / 強誘電体 / 不揮発メモリ / CMOS / ナノスケール / 不揮発性メモリ / アダプティブ

研究概要

ナノ集積回路システムの重要な構成要素であるナノメモリの低消費電力化の研究を行った。 インダクタを用いた電源回路を採用することで電力効率を 50%以上に高め、メモリ全体の消費電力を半減することに成功した。また、ゲート電圧によってしきい値電圧が変化する強誘電体ゲートトランジスタを CMOS ロジックに適用することにより、0.5V と言った極低電力で動作し、従来の CMOS に比べて電力を約 30%低減するナノ集積回路の動作を実証した。更に、ナノメモリの3次元積層技術による大容量化に関する研究を行い、ゲート長とスペースは等しいことが望ましく、空孔の直径が 90nm において層間ピッチ 40nm が達成可能であることを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Scaling Trends and Tradeoffs between Short Channel Effect and Channel Boosting Characteristics in sub-20nm Bulk/SOI NAND Flash Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Kousuke Miyaji, Chinglin Hung and Ken Takeuchi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: vol. 51, no. 4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Highly Reliable, High Speed and Low Power NAND Flash Memory-Based Solid State Drives (SSDs) (2012)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi, Teruyoshi Hatanaka and Shuhei Tanakamaru
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express (ELEX) 巻: vol. 9, no. 8 ページ: 779-794
  • NAID: 130001922730
  • 査読あり
• [雑誌論文] Scaling Trends and Tradeoffs between Short Channel Effect and Channel Boosting Characteristics in sub-20nm Bulk/SOI NAND Flash Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Kousuke Miyaji
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: vol. 51
  • 査読あり
• [雑誌論文] Highly Reliable, High Speed and Low Power NAND Flash Memory-Based Solid State Drives (SSDs) (2012)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express (ELEX) 巻: vol. 9 ページ: 779-794
  • NAID: 130001922730
  • 査読あり
• [雑誌論文] A 0.5V Operation VTH Loss Compensated DRAM Word-line Booster Circuit for Ultra-Low Power VLSI Systems (2011)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Ken Takeuchi
  • 雑誌名: IEEE J.of Solid-State Circuits 巻: 46 ページ: 2406-2415
  • 査読あり
• [雑誌論文] A 0.5-V 6-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai and Ken Takeuchi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 巻: 49 ページ: 121501-121509
  • 査読あり
• [雑誌論文] A 0.5-V 6-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 49 ページ: 121501-121509
  • 査読あり
• [雑誌論文] フラッシュメモリの最新技術動向 -SSDへの応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 雑誌名: 情報処理 巻: vol.49,no.9 ページ: 1090-1098
  • NAID: 110006884816
• [雑誌論文] フラッシュメモリの最新技術動向-SSDへの応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 雑誌名: 情報処理 vol.49, no.9 ページ: 1090-1098
  • NAID: 110006884816
• [学会発表] BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針 (2013)
  • 著者名/発表者名: 宮地幸祐
  • 学会等名: 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] NAND & Controller Co-design for SSD (2012)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Memory Workshop Short Course
  • 発表場所: ミラノ
  • 年月日: 2012-05-23
• [学会発表] Control Gate Length, Spacing and Stacked Layer Number Design for 3D-Stackable NAND Flash Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Yuki Yanagihara, Kousuke Miyaji and Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Memory Workshop
  • 発表場所: ミラノ
  • 年月日: 2012-05-22
• [学会発表] バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 東京都新宿区早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] NAND & Controller Co-design for SSD (2012)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Memory Workshop Short Course
  • 発表場所: イタリア ミラノ
  • 招待講演
• [学会発表] Control Gate Length, Spacing and Stacked Layer Number Design for 3D-Stackable NAND Flash Memory (2012)
  • 著者名/発表者名: Yuki Yanagihara
  • 学会等名: IEEE International Memory Workshop
  • 発表場所: イタリア ミラノ
• [学会発表] 不揮発性メモリを使いこなす (2012)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 日経エレクトロニクス セミナー
  • 発表場所: 東京都 化学会館
  • 招待講演
• [学会発表] HyENEXSSを用いたバルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧特性の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮地幸祐
  • 学会等名: TCAD研究会
  • 発表場所: 慶応大学
• [学会発表] SSDとストレージ・クラス・メモリを用いたメモリシステム (2012)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 電気学会 ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会
  • 発表場所: 早稲田大学研究開発センター
  • 招待講演
• [学会発表] 不揮発メモリの低電圧・低電力化技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会 ソサイエティ大会
  • 発表場所: 富山大学
  • 招待講演
• [学会発表] BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針 (2012)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 集積回路研究会, 信学技報,
  • 発表場所: 東京工業大学 蔵前会館
• [学会発表] BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健
  • 学会等名: 集積回路研究会,信学技報
  • 発表場所: 宮崎県宮崎市ニューウェルシティ宮崎
  • 年月日: 2011-11-29
• [学会発表] Highly reliable Low Power Storage Class Memory & NAND Flash Memory Hybrid Solid-State Drive (SSD) (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
  • 発表場所: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,中国(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Pushing Scaling Limit Due to Short Channel Effects and Channel Boosting Leakage from 13nm to 8nm with SOI NAND Flash Memory Cells (2011)
  • 著者名/発表者名: Kousuke Miyaji, Chinglin Hung, Ken Takeuchi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 発表場所: Nagoya University, Japan
  • 年月日: 2011-09-27
• [学会発表] Green High Performance Storage Class Memory & NAND Flash Memory Hybrid SSD System (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
  • 発表場所: Fukuoka, Japan(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-03
• [学会発表] 3次元NANDフラッシュメモリ&SCM (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: Electronic Journal第771回Technical Seminar
  • 発表場所: 東京都文京区東京大学(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-02
• [学会発表] フラッシュメモリと抵抗変化型メモリの技術動向 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 新化学技術推進協会(JACI)電子情報技術部会講演会
  • 発表場所: 東京都千代田区(社)新化学技術推進協会(招待講演)
  • 年月日: 2011-07-21
• [学会発表] ReRAM as High-Speed and High Capacity Storage Class Memory (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE Symp.on VLSI Circuits
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Japan(招待講演)
  • 年月日: 2011-06-17
• [学会発表] NAND Flash and Storage Class Memory-integrated Hybrid Solid-State Drive (SSD) (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
  • 発表場所: Rihga Royal Hotel Kyoto, Japan(招待講演)
  • 年月日: 2011-06-13
• [学会発表] HyENEXSSを用いたバルクとFDSOI基板における極微細浮遊ゲート型NANDフラッシュメモリのスケーリング検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮地幸祐, 竹内健
  • 学会等名: TCAD研究会
  • 発表場所: 神奈川県川崎市東芝研究開発センター
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] Storage Class Memory and Memory System Innovation-International Collaboration for Material, Device, Circuit, Signal Processing and OS Integration (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: The Seventh International Nanotechnology Conferenee on Communication and Cooperation (INC7)
  • 発表場所: College of Nanoscale Science and Engineering, Albany, New York, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-05-17
• [学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
  • 発表場所: ミラノ
  • 年月日: 2011-04-25
• [学会発表] 不揮発性メモリを使いこなす～SSDからストレージ・クラス・メモリまで～ (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 日経エレクトロニクスセミナー
  • 発表場所: 東京都港区日経エレクトロニクス本社(招待講演)
  • 年月日: 2011-04-25
• [学会発表] 高信頼・低電力SSD～メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化～ (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹内健, 田中丸周平, 洪慶麟
  • 学会等名: 集積回路研究会,信学技報
  • 発表場所: 兵庫県神戸市神戸大学(招待講演)
  • 年月日: 2011-04-18
• [学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
  • 発表場所: ミラノ、イタリア(招待講演)
  • 年月日: 2011-04-05
• [学会発表] 強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理(第16回研究会)
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2011-01-22
• [学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
  • 発表場所: ミラノ/イタリア
• [学会発表] Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-09-25
• [学会発表] Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM (2010)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2010-07-09
• [学会発表] ナノスケールメモリLSI:材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する (2010)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: VDECデザイナーフォーラム
  • 発表場所: 東京(招待講演)
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (2010)
  • 著者名/発表者名: 田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会 集積回路研究会
  • 発表場所: 藤沢
  • 年月日: 2010-04-15
• [学会発表] A Ferroelectric NAND Flash Memory for Low-Power and Highly Reliable Enterprise SSDs and a Ferroelectric 6T-SRAM for 0.5V Low-Power CPU and SoC (2010)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Miyaji, Teruyoshi Hatanaka, Shuhei Tanakamaru, Ryoji Yajima, Shinji Noda, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: Materials Research Society (MRS) Spring Meeting
  • 発表場所: サンフランシスコ、米国(招待講演)
  • 年月日: 2010-04-08
• [学会発表] 0.5V動作強誘電体6T-SRAM (2010)
  • 著者名/発表者名: 田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
  • 学会等名: 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM (2010)
  • 著者名/発表者名: 田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会SDM研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-01-22
• [学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin (2009)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: ボルチモア、米国
  • 年月日: 2009-12-09
• [学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T -SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin (2009)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai and Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: ボルチモア
  • 年月日: 2009-12-08
• [学会発表] 3次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計 (2009)
  • 著者名/発表者名: 安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会 集積回路研究会
  • 発表場所: 静岡
  • 年月日: 2009-12-07
• [学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
  • 発表場所: サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-09-28
• [学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
  • 発表場所: サンフランシスコ、米国
  • 年月日: 2009-09-20
• [学会発表] Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
  • 発表場所: サンフランシスコ、米国
  • 年月日: 2009-08-20
• [学会発表] Inductor Design of 20-V BoostConverter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
  • 発表場所: サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-08-19
• [学会発表] 三次元積層NAND型フラッシュSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路 (2009)
  • 著者名/発表者名: 安福正, 石田光一, 宮本晋示, 中井弘人, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
  • 学会等名: システムLSIワークショップ
  • 発表場所: 北九州
  • 年月日: 2009-05-20
• [学会発表] 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路 (2009)
  • 著者名/発表者名: 安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会 集積回路研究会
  • 発表場所: 仙台(招待講演)
  • 年月日: 2009-04-06
• [学会発表] 3D LSI Design for MEMS Application (2009)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: Japan-Taiwan GMOS MEMS Workshop, pp.113-131
  • 発表場所: 台湾、新竹
  • 年月日: 2009-03-23
• [学会発表] NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD) (2009)
  • 著者名/発表者名: 石田光一, 安福正, 高官真, 桜井貴康, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会, C-12-20
  • 発表場所: 北九州市
  • 年月日: 2009-03-18
• [学会発表] NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD) (2009)
  • 著者名/発表者名: 安福正, 石田光一, 高官真, 桜井貴康, 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会総合大会, C-12-21
  • 発表場所: 北九州市
  • 年月日: 2009-03-18
• [学会発表] 不揮発性機能デバイスと新アプリケーション (2009)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 新機能素子研究開発協会新機能トランジスタ調査委員会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-02-18
• [学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
  • 発表場所: サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-02-11
• [学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage (20V) Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD (2009)
  • 著者名/発表者名: Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai and Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
  • 発表場所: サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-02-10
• [学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage(20V)Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD (2009)
  • 著者名/発表者名: Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Taknyasu Sakurai
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC), pp.238-239
  • 発表場所: アメリカ、サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-02-10
• [学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)Memory Forum F-1
  • 発表場所: アメリカ、サンフランシスコ
  • 年月日: 2009-02-08
• [学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage (20V) Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD (2009)
  • 著者名/発表者名: Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), pp.238-239
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
• [学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Memory Forum F-1
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA(招待講演)
• [学会発表] Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
• [学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
• [学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin (2009)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: ボルチモア/USA
• [学会発表] 使い手のためのSSDのすべて (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 日経エレクトロニクスメモリ・システム・シンポジウム・モバイル新時代に向けたメモリ技術総覧
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-12-09
• [学会発表] VLSI回路設計手法とMEMSモデリング (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 第7回ファインMEMSシステム化設計プラットフォーム検討委員会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-12-03
• [学会発表] VLSI回路設計手法とMEMSモデリング (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 電気等価回路から考えるMEMS設計手法研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-12-01
• [学会発表] HDDの代替を目指すフラッシュメモリの現状と課題 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: Electronic Journal 第192回 Technical Symposium フラッシュメモリ/SSD徹底検証
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-11-26
• [学会発表] SSDがもたらすメモリシステムの革新とPost NANDフラッシュメモリの技術動向 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: JEITAナノエレクトロニクス技術分科会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-11-12
• [学会発表] Solid-State Drive(SSD)and Memory System Innovation (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: Shanghai Jino Tong University-University of Tolcyo Joint Symposium on Electronics, Information Technology, and Electrical Engineering
  • 発表場所: 中国、上海
  • 年月日: 2008-10-31
• [学会発表] Emerging 3D-Memory Device (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 2008 Taiwan & Japan Semiconductor Technology Forum
  • 発表場所: 台湾、台北
  • 年月日: 2008-10-18
• [学会発表] Emerging Nanoscale Non-volatile Semiconductor Memories (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: Bilateral Workshop on Nanoscale Systems, pp.6-9
  • 発表場所: ドイツ、ミュンヘン
  • 年月日: 2008-07-10
• [学会発表] Solid-State Drive(SSD)and Memory System Innovation (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: University of Tokyo-INRIA-Ecole des Mines Paris-INRETS Joint Symposium, pp.111-139
  • 発表場所: フランス、パリ
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD) (2008)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE Symp. on VLSI Circuits
  • 発表場所: ホノルル
  • 年月日: 2008-06-22
• [学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives(SSD) (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: IEEE Symp.on VLSI Circuits, pp.124-125
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2008-06-19
• [学会発表] SSD動向とNANDフラッシュメモリ (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 学会等名: 電子情報通信学会集積回路研究会, 信学技報, vol.108, no.6, ICD2008-6, pp.31-36
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-04-17
• [学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD) (2008)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE Symp.on VLSI Circuits, pp.124-125
  • 発表場所: 京都
• [図書] Inside Solid State Drives (SSDs) (2012)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 出版者: Springer
• [備考]
  • URL: http://www.takeuchi-lab.org/
• [備考] ホームページ
  • URL: http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp/index.html
• [備考]
  • URL: http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp/research.html
• [備考]
  • URL: http://www.Isi.t.u-tokyo.ac.jp/research.html
• [産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置 (2009)
  • 発明者名: 竹内健、他 4 名
  • 権利者名: 東京大学
  • 産業財産権番号: 2010-534730
  • 出願年月日: 2009-04-17
• [産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置 (2008)
  • 発明者名: 竹内健, 他4名
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2008-10-20
• [産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置 (2008)
  • 発明者名: 竹内健, 他、4名
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2008-10-20