| 研究課題/領域番号 |
21560707
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
佐藤 弘 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究チーム長 (50357141)
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| 連携研究者 |
甲野藤 真 産業技術総研究所, ナノスピントロニクス研究センター, 研究員 (80425735)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 強相関酸化物 / ハーフメタル / 磁性トンネル接合 / スピン注入磁化反転 / スピンSEM |
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| 研究概要 |
スピン注入磁化反転素子の開発においては、サブミクロン寸法素子を作製するための作製技術開発を行った。電極材料には、強相関酸化物であるLa_0.6Sr_0.4MnO_3を、パルスレーザー蒸着法にて、SrTiO_3基板上に成膜した薄膜(50nm)を用いた。電子ビーム直接描画法でレジストパターンを形成、その後、Arイオンエッチングでメサ構造への加工を行ない、200nm×160nm程度のパターンを得ることに成功した。また、本研究のパターン作製技術の一部を、電気二重層キャパシターを強相関酸化物に適用したモットトランジスタ開発に適用し、世界で初めて、電界制御にて室温でのモット転移に成功した。
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