研究課題/領域番号 |
21760027
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
八田 振一郎 京都大学, 理学研究科, 助教 (70420396)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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キーワード | 表面 / 表面電子状態 / スピン分解光電子分光 / 表面電気伝導 / 表面・界面物性 / 超薄膜 / スピンエレクトロニクス |
研究概要 |
表面ナノ構造の磁気抵抗効果の測定のため、超高真空(UHV)槽内で操作可能な4端子抵抗測定器と電磁石コイルを製作した。Ni箔を用いた測定から、この4端子抵抗測定器が金属試料について約0.1μΩの精度で測定できることを確認した。この他、角度分解光電子分光法(ARPES)やスピン分解ARPESを用いてBiやPbの吸着によりGe(111)表面に誘起される超構造の電子状態の研究を行った。その結果、これらの構造の表面状態バンドまたは表面共鳴バンドが200meV以上スピン分裂していることを示した。
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