研究課題/領域番号 |
21760238
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 八戸工業高等専門学校 |
研究代表者 |
鎌田 貴晴 八戸工業高等専門学校, 電気情報工学科, 助教 (50435400)
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研究協力者 |
藤原 民也 岩手大学, 工学部, 教授 (70042207)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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キーワード | 擬火花放電 / プラズマジェット / イオン密度 / ダブルプローブ / DLC薄膜 / 擬火花放電プラズマジェット / 高密度プラズマ / プラズマ計測 |
研究概要 |
本研究では低気圧大電流放電である擬火花放電プラズマジェットをプラズマ源に用いた新たなダイヤモンドライクカーボン薄膜作製装置の開発を行った。プラズマジェット中のイオン密度は10^<20>m^<-3>オーダーであり、高密度なプラズマが半径50mm内に撃ち出されていることがわかった。プラズマジェットの撃ち出しは陽極孔、電極間距離、放電電流、ガス流に依存するが、放電電流による電磁力の効果は本実験条件では確認できなかった。成膜実験を行った結果、シリコン基板上への膜の堆積に成功した。
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