| 研究課題/領域番号 |
22560018
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
伊藤 利充 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 上級主任研究員 (80356485)
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| 連携研究者 |
富岡 泰秀 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (60357572)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 超伝導体 / 結晶成長 / レーザ加熱 / 酸化物高温超伝導体 / 低温物性 / 電子輸送特性 / 1/8異常 |
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| 研究概要 |
重要性にも関わらず育成が困難な高温超伝導体の大型結晶育成を可能にする目的で、良好な集光性により不要な反応を抑制できるレーザ加熱を用いて結晶育成を行なった。La_<2-x>Ba_xCuO_4 および LaBa_2Cu_3O_7 の大型結晶の育成に成功し、物性を明らかにした。その結果、ストライプ秩序の有無によって対照的な物性を示すことが明らかになった。ストライプ秩序の下での抵抗率の温度依存性において、超伝導転移は磁場により平行にシフトし、磁気抵抗は log(T)の発散を示す。
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