| 研究課題/領域番号 |
25289109
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 (2014-2016)
独立行政法人産業技術総合研究所 (2013) |
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研究代表者 |
品田 賢宏 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (30329099)
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| 研究分担者 |
谷井 孝至 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20339708)
井上 耕治 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (50344718)
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| 連携研究者 |
田部 道治 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
磯谷 順一 筑波大大学, 名誉教授 (60011756)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2016年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2015年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
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| キーワード | 決定論的ドーピング / ドーパント規則配列 / シリコン量子物性 / ダイヤモンド量子物性 / 3次元アトムプローブ |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、10nm以下の領域へのドーピングを実現し、次世代デバイスに適応可能な決定論的ドーピング法の確立を第1の目的とし、単一ドーパントシリコンデバイス、単一シリコン-空孔ダイヤモンドデバイスをはじめとする量子デバイスの物性制御を第2の目的とした。具体的には、①10nm以下の領域への単一ドーパントドーピングプロセスモジュールの開発に成功し、②単一ドーパントシリコンデバイス量子輸送、及び③単一ドーパントシリコン－空孔ダイヤモンド量子発光の観測と制御に成功した。将来のCMOSテクノロジーの延伸に資する決定論的ドーピング法の確立、及びその量子物性制御を実現したことは大きな成果である。
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