| 研究課題/領域番号 |
25390011
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
間野 高明 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主任研究員 (60391215)
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| 連携研究者 |
黒田 隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主席研究員 (00272659)
大竹 晃浩 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主幹研究員 (30267398)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 量子ドット / 分子線エピタキシー / 自己形成 / もつれ光子対 / 量子通信 / ガリウム砒素 / もつれ合い光子対 / 結晶成長 / 化合物半導体 / エレクトロルミネッセンス素子 / 偏光 / もつれ合い / インジウム燐 / 量子情報 |
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| 研究成果の概要 |
高品質なもつれ光子対の発生を目的として、液滴エピタキシー法による(111)A基板上の高面内対称性を有する理想的な量子ドットの自己形成に関する研究を行った。ガリウム液滴形成過程の詳細な分析を行い、量子ドットのサイズ・密度制御に必要不可欠な核発生機構を明らかにした。また、(111)A上の不純物ドーピング技術を確立することより、電流注入による量子ドット発光を実現した。さらに、GaAs系に加えてInAs量子ドット作製に関する研究を新たに実施して、対称性の高い量子ドットからの通信波長帯発光を観察することに成功した。
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