研究課題
基盤研究(A)
GOI層の貼り合せ界面特性を改善するためGOI層を再貼り合せする方法を提案・実証し、ディジタルエッチング法により、2nmのGOI膜厚のGOI MOSFETの動作に成功した。移動度のGOI厚依存性の実験結果から、薄膜GOIでの移動度劣化は、膜厚揺らぎ散乱に起因することを明確化した。酸化濃縮法にアニール工程を挿入し、かつGOI形成まで室温に戻さない連続加熱工程とGOI形成後の降温時間を十分長くとることにより、高い圧縮ひずみを有するGOI層の形成に成功した。更にディジタルエッチング法により4.5 nmの膜厚のひずみGOI MOSFETの動作と高移動度特性を成功した。
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すべて 雑誌論文 (22件) (うち国際共著 11件、 査読あり 20件、 謝辞記載あり 15件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (47件) (うち国際学会 25件、 招待講演 24件) 図書 (1件)
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