研究課題
基盤研究(B)
ピコ秒オーダーで動作可能な高速不揮発メモリの実現に向けて、窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移を用いた高速不揮発メモリの研究を行った。GaN系RTDの新たな設計方法の構築及び結晶成長技術の改善により、Si(111)基板上で良好な不揮発メモリ動作を実現することに成功した。また、得られた結果とGaN系RTDを用いた不揮発メモリの動作原理をもとに、更なる不揮発メモリ特性改善に向けた設計指針を示した。
半導体工学
IoT社会を支えるコンピューターの低消費電力化に向けて、超高速かつ低消費電力で動作可能な不揮発メモリの実現が期待されている。本研究成果は、その候補となる不揮発メモリの実現の可能性を示したものである。また、本研究で得られた窒化物半導体に関する知見や技術は、他の窒化物半導体デバイスの進展にも寄与できる可能性があることから、学術的にも社会的にも意義がある。
