| 研究課題/領域番号 |
08555073
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
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| 研究分担者 |
横山 道央 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (40261573)
益 一哉 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20157192)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
17,700千円 (直接経費: 17,700千円)
1998年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1997年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
1996年度: 10,000千円 (直接経費: 10,000千円)
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| キーワード | 多層配線 / Al CVD / CIF3クリーニング / クラスター装置 / DMAH / DirectLiquidInjection / ClF_3クリーニング / AlCVD |
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| 研究概要 |
本研では,サブ0.1umまでの極微細層のLSI多層配線構造の為のAl CVD技術の確立を目指した。
(1) クラスターAl CVD装置の設計・製作
各クラスターチャンバーの設計を行った後、メインチャンバー、クリーニングチャンバー、及び搬送チャンバー、各チャンバー真空排気装置の組立・接続を行った。
また、DMAHは粘性のある液体原料であり、化学気相成長(CVD)法において高速・大面積成膜させる為には安定な気化原料の大量供給が必要である。本研究では、液体のままウエハ直近まで輸送した後、大量に気化させて原料をウエハに供給する、Direct Liquid Injection(DLI)システムを用いた原料の供給システムを開発し、DLIシステムのメインチャンバーへの装着を検討した。トータルプロセスを通してCVD-Alを成膜できる事を確認した。
(2) TiNバリアメタル上へのブランケットAl成長
TiNバリアメタル上へのAl堆積において、基板表面前処理として申請者らが開発したClF3プラズマレスクリーニング技術において、クリーニング後の残留Cl、Fの影響を評価した。残留Clによるコロージョン(腐食)は起こらない事及び残留FはCVD-Al反応を促進する事を確認した。
(3) 有機金属原料の比較・大量供給法
本研究で主として用いる有機金属原料としては、DMEAA(ジメチルエチルアミンラン)よりも、DMAH(ジメチルアルミハイドライド)の方が分解の速度、経時変化の点で優れている事を確認した。また、大口径ウエハ上へ高速成膜するために有機金属原料であるDMAHのDLIによる供給を試み、装置への装着を検討した。実際にCVD-Alを成膜し、従来のパブリングによる供給法に比較し10倍の成膜速度が得られる事を確認した。
以上により、大口径ウエハ対応、高速Al成膜を可能とするクラスターAl CVD装置としての製作の見通しが立った。
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