| 研究課題/領域番号 |
15K13353
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
吹留 博一 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (10342841)
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| 研究分担者 |
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | グラフェン / 結晶成長 / 電界効果トランジスタ / 接合 / トランジスタ / 高品質SiC単結晶薄膜 |
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| 研究成果の概要 |
優れた物性を有するグラフェンは、テラヘルツ帯で動作するトランジスタを実現する。私は、SiC基板から転写・接合によるSiC単結晶薄膜作製技術を用いて、デバイス応用に適した基板上への高品質グラフェンの成長に成功した。このグラフェンが、直線的なバンド分散を有していることを確認し、更には、キャリア移動度が高いことを実証した。このグラフェンを用いたトランジスタの試作に成功し、高速電子デバイス応用に適していることを示した。
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