| 研究課題/領域番号 |
18002004
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大見 忠弘 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (20016463)
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| 研究分担者 |
白井 泰雪 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (70375187)
北野 真史 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (60420048)
寺本 章伸 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (80359554)
津守 俊郎 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10375181)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
564,850千円 (直接経費: 434,500千円、間接経費: 130,350千円)
2008年度: 108,160千円 (直接経費: 83,200千円、間接経費: 24,960千円)
2007年度: 184,600千円 (直接経費: 142,000千円、間接経費: 42,600千円)
2006年度: 272,090千円 (直接経費: 209,300千円、間接経費: 62,790千円)
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| キーワード | LSI / MOSFET / 半導体製造プロセス / 半導体電子工学 / 半導体製造工学 |
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| 研究概要 |
(1)(551)面SOI基板上にチャネルの方向をpMOSFETは<110>方向にnMOSFETは<110>方向に作製しn-MOSFETとp-MOSFETの寸法を一致させたバランスドCMOS構成、(2)Accumulation型のMOSFET、(3)Si表面の原子オーダの平坦化、(4)ラジカル反応を用いたあらゆる面方位に高品質なSiO_2/Si_3N_4の形成、(5)ソース・ドレイン電極の直列抵抗を2桁低減、これらの開発成果により超高速・超低消費電力バランスドCMOSを実現した。
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