| 研究課題/領域番号 |
18K13985
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分26010:金属材料物性関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
李 松田 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) (90805649)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2020年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2020年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2019年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2018年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 磁気抵抗素子 / 原子層物質 / グラフェン / ホイスラー合金 / 高スピン偏極材料 / 二次元物質 / 高スピン偏極率 / 六方晶窒化ホウ素 / 高スピン偏極率材料 / 層状物質 / ハーフメタル / スピンエレクトロニクス / スーピントロ二クス |
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| 研究成果の概要 |
次世代磁気メモリ(HDD、 MRAMなど)の応用には、超薄膜化および磁気抵抗比と面積抵抗がバランスした特性の面直電流磁気抵抗素子の実現が重要な課題である。本研究は磁気抵抗素子スペーサー層の新材料として、従来の酸化物と金属材料に代えて、原子層物質のグラフェンを提案した。グラフェンと高スピン偏極ホイスラー合金の積層化技術の確立により、グラフェンスペーサーとホイスラー合金磁性電極と組み合わせた新しい構造の面直電流磁気抵抗素子の開発を行った。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究のホイスラー合金/グラフェン/ホイスラー合金磁気抵抗素子の研究成果は、磁気メモリの超高密度化を可能にするブレークスルー技術であり、次世代情報デバイスの省エネ化やスピントロ二クス技術の発展に貢献することが期待できる。
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