研究課題
若手研究(A)
ダイヤモンドは、次世代パワーデバイス材料として最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究は、その材料・プロセス技術の高度化を行うことで、超省エネ化実現のための革新的デバイス特性を創出することを目的とした。本研究で、高品質なp型ダイヤモンド膜の成長技術の開発、超低抵抗率のδドープダイヤモンドの実現、そして、高品質なAl2O3/ダイヤモンド界面を有するダイヤモンドMOS構造の作製に成功した。
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Japanese Journal of Applied Physics
巻: 53 号: 4S ページ: 04EH04-04EH04
10.7567/jjap.53.04eh04
210000143648
巻: 52 号: 11R ページ: 110121-110121
10.7567/jjap.52.110121
210000143041
巻: 51 号: 9R ページ: 90107-90107
10.1143/jjap.51.090107
210000141151
日本結晶成長学会誌
巻: 39 ページ: 185-189
http://www.o-fsi.kanazawa-u.ac.jp/about/section/research/solutiontype2/
http://www.kanazawa-u.ac.jp/research_bulletin/highlights_005.html