| 研究課題/領域番号 |
20340085
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
佐々木 孝彦 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20241565)
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| 研究分担者 |
米山 直樹 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (80312643)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2010年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2009年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2008年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 有機導体 / 物性実験 / 低温物性 / 分子性導体 / モット絶縁体 / 光学伝導度 / エックス線照射 / アンダーソン局在 / キャリアドープ / 有機超伝導体 / 公子性導体 |
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| 研究概要 |
エックス線照射により分子欠陥を導入制御した分子ダイマーモット絶縁体において, バンド幅制御により発現する金属-モット絶縁体転移近傍における強相関電子に対する乱れの影響を明らかにした. 乱れによる電子局在絶縁体化であるアンダーソン局在状態と電子相関によるモット絶縁体状態が拮抗した状態では, 弱相関金属側, 強相関絶縁体側の両方からモット転移点により近づくほど少ない乱れでアンダーソン局在化することを見出した.
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